STD25NF20

Name: STMicroelectronics STD25NF20
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD25NF20
Price: 312 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STD25NF20

メーカ番号：

STD25NF20

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

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データシート:

STD25NF20 データシート (PDF)

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥312	¥312
	¥198.4	¥1,984
	¥134.1	¥13,410
	¥106.4	¥53,200
	¥97.4	¥97,400
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥89.8	¥224,500
	¥87.2	¥436,000
	¥87	¥870,000
25,000	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DPAK-3 (TO-252-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	18 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	125 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	28 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	110 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	STripFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	10 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	30 ns
シリーズ:	STD25NF20
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
単位重量:	330 mg

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データシート

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PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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