SCT40xKWA Nch SiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor SCT40xKWA Nch SiCパワーMOSFETは、第4世代MOSFETです。オン抵抗の低減と短絡耐量時間の改善を実現しています。これらのMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧 (VDS) 1200V、高速スイッチングスピード、沿面距離4.7mm(Min.)、高速リカバリーが特長です。SCT40xKWA MOSFETはRoHS指令に適合しており、シンプルな駆動回路を採用しています。代表的な用途は、誘導加熱装置、DC/DCコンバータ、太陽光発電インバータ (PVインバータ)、スイッチモード電源 (SMPS) などです。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最高動作温度 チャネルモード
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 796在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC 800在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement