SCT4018KRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KRC15
Price: 5673 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-SCT4018KRC15

メーカ番号：

SCT4018KRC15

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

データシート:

SCT4018KRC15 データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	81 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	23.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
Qg - ゲート電荷:	170 nC
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	312 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	22 S
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFET's
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	21 ns
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	50 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns
別の部品番号:	SCT4018KR

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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