SIR186LDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SIR186LDP-T1-RE3
SIR186LDP-T1-RE3

メーカ：

詳細：
MOSFET PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

データシート:
ECADモデル:
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Vishay / Siliconix SIR186LDP-T1-RE3の詳細を読む

在庫: 31,109

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥241.6 ¥242
¥152.6 ¥1,526
¥102.6 ¥10,260
¥80.6 ¥40,300
¥73.4 ¥73,400
完全リール（3000の倍数で注文）
¥64.5 ¥193,500
¥60 ¥360,000
¥57.9 ¥521,100
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8
N-Channel
1 Channel
60 V
80.3 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
31.5 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 54 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 26 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiR186LDP Nチャンネル60V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V（D-S）MOSFETには、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET技術が活用されています。SiR186LDP MOSFETは、超低RDS Qg性能指数（FOM）が特徴で、最低レベルのRDS Qoss FOMに合うように調整されています。Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V（D-S）MOSFETは、同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モーター駆動スイッチの各アプリケーションに最適です。

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