SICW0x 1200V SiC NチャンネルMOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1,200V SiC NチャンネルMOSFETは、汎用性の高いTO-247-4、TO-247-4L、TO-247ABパッケージで性能を増幅します。これらのMOSFETは、低ゲート電荷、設計柔軟性、信頼性が備わった高スイッチング速度が特徴です。SICW0x 1200V SiC MOSFETは、21mΩ ~120mΩ (Typ.) の広いオン抵抗範囲と高信頼性の性能を有しています。これらのSiC MOSFETは、優れた熱特性と高速な独自のダイオードを備えており、課題の多い条件下でもスムーズで効率的な動作が得られます。SICW0x SiC MOSFETは、3ピンおよび4ピン (Kelvinソース) 構成で供給されます。代表的なアプリケーションには、モータドライブ、溶接装置、電源、再生可能エネルギーシステム、充電インフラ、クラウドシステム、無停電電源装置(UPS)などがあります。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 1,800
複数: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4L 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 1,800
複数: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement