FFSP0865B

onsemi
863-FFSP0865B
FFSP0865B

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODE TO220 650V

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥481.6 ¥482
¥268.8 ¥2,688
¥244.8 ¥24,480
¥228.8 ¥114,400
¥219.2 ¥219,200
¥209.6 ¥524,000

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.39 V
56 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP0865B
Tube
ブランド: onsemi
Pd - 電力損失: 73 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSP0865B 650V 8A SiCショットキーダイオード

onsemi FFSP0865B 650V、8Aシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードには、優れたスイッチング性能およびシリコンに対するさらなる高信頼性を実現できるテクノロジーが採用されています。FFSP0865B SiCダイオードは、温度の影響を受けないスイッチング特性が特徴で、逆回復電流がなく、優れた熱性能が備わっています。その他のメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。FFSP0865B 650V、8A SiCショットキーダイオードは、TO-220-2LDパッケージでご用意があります。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。

D2 EliteSiCダイオード

onsemi D2 EliteSiC ダイオードは、650Vの定格電圧を必要とする用途向けに設計された高性能ダイオードです。onsemi D2 には、DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3など、さまざまなパッケージがあります。これらのダイオードには、低容量電荷 (QC) が備わっており、低順方向電圧の高速スイッチング用に最適化されています。これらの機能によってこのダイオードは力率補正（PFC）および出力整流アプリケーションに最適です。

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