FGY100T120RWD

onsemi
863-FGY100T120RWD
FGY100T120RWD

メーカ：

詳細：
IGBT 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 754

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,230.4 ¥2,230
¥1,318.4 ¥13,184
¥1,297.6 ¥129,760

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.43 V
- 20 V, 20 V
200 A
1.495 kW
- 55 C
+ 175 C
FGY100T120RWD
Tube
ブランド: onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値: 200 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 400 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: IGBTs
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FGY100T120RWD IGBT

onsemi FGY100T120RWD IGBTは、新しいフィールドストップ第7世代IGBTテクノロジーをTO247 3リード パッケージに組み合わせています。FGY100T120RWDは、最適な性能、低い伝導損失、優れたスイッチング制御性を備えています。onsemi FGY100T120RWD IGBTは、モーター制御、UPS、データセンタ、ハイパワースイッチなど、さまざまなアプリケーションで高効率な動作を実現します。

工業用モータ駆動

オンセミ (onsemi) 産業用モータドライブは、効率的で再生可能な技術とインテリジェントな電力を供給する、グローバルな持続可能性のために設計されています。米国エネルギー省（DOE）が発表した「2020年 モータシステム市場分析（MSMA）」によると、産業用ポンプとドライブは毎年、米国送電網全体のほぼ15%を消費しています。また、2020年 MSMAでは、可変周波数ドライブ（VFD）を使用することで、年間3,230万メトリックトンのCO2排出量を削減できると推定しています。オンセミは、ゲートドライバ、MOSFET、IGBT、EliteSiCなど、VFD向けの広範な半導体部品を製造しています。

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