AEC-Q101 SiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiCパワーMOSFETは、車載用およびスイッチモード電源に最適です。SiCパワーMOSFETは、ブースト・スイッチング周波数に使用でき、コンデンサ、リアクタ、その他の必要になるコンポーネントの量を減少します。AEC-Q101 SiCパワーMOSFETは、車載用のインバータやDC-DCコンバータなど、さまざまな駆動システムにおいて優れた小型化と軽量化を実現できます。

結果: 34
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC 1,201在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC 1,488在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC 750在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 62 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC 6在庫
450予想2026/06/18
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 321在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC 85在庫
450予想2026/06/18
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N 117在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 80 mOhms - 6 V, + 22 V 1.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
450予想2026/07/23
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 450
複数: 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101