BDS厚膜ハイパワー抵抗器

TE Connectivity(TE)のBDS厚膜ハイパワーレジスタの消費電力は1,000Wおよび2,000Wで、簡単に取付けられるように設計された76mm x 76mmケースに収められています。500mΩ〜1000Ωの広いインピーダンス範囲にわたって高い電力密度を提供します。抵抗値許容差は±10%、最大動作電圧は2000V_DC です。この構造は、低部分放電による信頼性と安定性の強化のために、接続が簡単な2つの端子と高品質の材料を採用しています。TEのBDSシリーズは、動作温度範囲が-55°C ~ +85°Cで、高周波アプリケーションでの使用に最適で、コンポーネントの保護と安全性を実現しています。代表的なアプリケーションには、パワー半導体バランシングモータ制御、突入電流制限、バッテリエネルギー貯蔵システム、半導体機械があります。