NTBG028N170M1

onsemi
863-NTBG028N170M1
NTBG028N170M1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥5,508.8 ¥5,509
¥4,832 ¥48,320
¥4,828.8 ¥482,880
¥4,766.4 ¥2,383,200
完全リール（800の倍数で注文）
¥4,572.8 ¥3,658,240

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
71 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
222 nC
- 55 C
+ 175 C
428 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 27 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 18 ns
シリーズ: NTBG028N170M1
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 121 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 47 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFETは、 1,200Vおよび1,700Vの定格電圧を備えています。onsemi M1 MOSFET は、信頼性と効率が要求される大電力アプリケーションの要件を満たすように設計されています。M1 EliteSiC MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、ベアダイをはじめとするさまざまなパッケージオプションでご用意があります。

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