高電圧DTMOS VI MOSFET(TOLLパッケージに格納)

Toshiba高電圧DTMOSVI MOSFETはTOLLパッケージに収められており、低ドレインソース間ON抵抗(Rdson)および静電容量がさらに低い高速スイッチング特性が特徴です。これによっては、スイッチング電源アプリケーションに最適です。この最新世代DTMOSVIには、最低性能指数RDS(ON)xQgdが備わっており、新しいTOLLパッケージ(9.9 × 11.68 × 2.3mm)に格納されています。ターンオンおよびターンオフ損失を低減するKelvinソース接続搭載です。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1,058在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2,000在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3,792在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1,232在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
6,000取寄中
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel