Q-Class HiPerFET™パワーMOSFET

IXYS Q-Class HiPerFET™ パワーMOSFETは、ハードスイッチングおよび共振モードアプリケーション用に設計されています。低ゲート電荷、優れた堅牢性、高速真性ダイオードが備わっています。IXYS Q-Class HiPerFET™ パワーMOSFETは、絶縁タイプをはじめとする数多くのスタンダード工業パッケージでご用意があります。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化

IXYS MOSFET 300V 52A 91在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds 非在庫リードタイム 37 週間
最低: 300
複数: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube