PBZTBR1xツェナーダイオード

ROHM Semiconductor PBZTBR1xツェナーダイオードは、シリコン・エピタキシャル・プレーナ構造の高信頼性・小型パワーモールドタイプが特徴です。これらのツェナーダイオードは、1000mWの電力損失および150°Cの接合部温度を実現します。PBZTBR1xツェナーダイオードは、-55°C ～ 150°Cの温度範囲で格納されています。これらのツェナーダイオードは、DO-214AA (SMB) パッケージでご用意があります。PBZTBR1xツェナーダイオードは、 電圧制御に使用されます。