IRF100B201

Infineon Technologies
942-IRF100B201
IRF100B201

メーカ：

詳細：
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 100 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 278 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 97 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 110 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

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Product Catalogs

SPICE Models

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コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
マレーシア
組立原産国:
中国
拡散国:
マレーシア
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

IRF100x201 HEXFET™パワーMOSFET

Infineon IRF100x201 HEXFET™パワーMOSFETは、100V、シングルNチャンネルMOSFETで、エンハンスドボディダイオード dv/dt およびdl/dt 機能を備えています。 これらのMOSFETは、改良されたゲート、アバランシェ、動的dv/dt の堅牢性、完全特性を備えた容量、アバランシェ安全動作領域（SOA）を実現しています。 IRF100x201 MOSFETはTO-220およびD2-Pakパッケージに収められており、RoHS準拠、無鉛、ハロゲンフリーです。 アプリケーションには、ブラシ付きおよびBLDCモーター駆動のアプリケーション、バッテリ給電回路、ハーフブリッジとフルブリッジポロジ、電源、電源スイッチがあります。

在庫: 3,902

在庫：
3,902
すぐに出荷可能
取寄中:
27,000
工場リードタイム：
52
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1   最大： 1000
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥686 ¥686
¥406.9 ¥4,069
¥325.6 ¥32,560
¥274.1 ¥137,050
¥239.2 ¥239,200

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