ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 476 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

942-IRF100B201

メーカ番号：

IRF100B201

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

データシート:

IRF100B201 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IRF100B201の詳細を読む

在庫: 18,627

在庫：: 18,627 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 26 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥476.7	¥477
	¥305.6	¥3,056
	¥239.2	¥23,920
	¥232.5	¥116,250
	¥229.2	¥229,200
	¥224.2	¥1,121,000
25,000	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	192 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	170 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	441 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	StrongIRFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	100 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	278 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	97 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	110 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
単位重量:	2 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IRF100B201 データシート (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: 中国
拡散国:: マレーシア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

IRF100x201 HEXFET™パワーMOSFET

Infineon IRF100x201 HEXFET™パワーMOSFETは、100V、シングルNチャンネルMOSFETで、エンハンスドボディダイオード dv/dt およびdl/dt 機能を備えています。これらのMOSFETは、改良されたゲート、アバランシェ、動的dv/dt の堅牢性、完全特性を備えた容量、アバランシェ安全動作領域（SOA）を実現しています。 IRF100x201 MOSFETはTO-220およびD²-Pakパッケージに収められており、RoHS準拠、無鉛、ハロゲンフリーです。アプリケーションには、ブラシ付きおよびBLDCモーター駆動のアプリケーション、バッテリ給電回路、ハーフブリッジとフルブリッジポロジ、電源、電源スイッチがあります。