NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches are designed to block voltage in both directions. A monolithic, integrated substrate-clamping circuit between each source and the common substrate automatically clamps the source-to-substrate voltage. Navitas’ unique substrate clamp technology delivers optimized switching performance during 4-quadrant operation compared to a floating-substrate switch, which can experience a "back-gating effect".

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース Id - 連続ドレイン電流 Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT 138在庫
450予想2026/07/31
最低: 1
複数: 1
: 450

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,500

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C