結果: 14
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
140在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
268在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
データシート
600在庫
最低： 1
複数： 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
データシート
600在庫
最低： 1
複数： 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,618在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,303在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,015在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
215在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
149在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
136在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
228在庫
240取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
データシート
非在庫リードタイム 19 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
リードタイム 17 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube