CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 263982 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

941-CGHV50200F

メーカ番号：

CGHV50200F

メーカ：

MACOM

詳細：

GaN FET GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

データシート:

CGHV50200F データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	MACOM
製品カテゴリー:	GaN FET
配送制限	この製品をアメリカから配送するには、追加の書類が必要になることがあります。
RoHS:
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	4402015
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	17 A
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	- 3.4 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
ブランド:	MACOM
開発キット:	CGHV50200F-AMP
ゲイン:	11.5 dB
最高動作周波数:	5 GHz
最小動作周波数:	4.4 GHz
出力電力:	180 W
パッケージ化:	Tray
製品タイプ:	GaN FETs
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	GaN HEMT
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:	- 10 V to 2 V

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データシート

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CGHV50200F GaN HEMT

Wolfspeed CGHV50200F 200W GaN（ガリウム - 窒化物）HEMT（高電子移動度トランジスタ）は、トランポータ通信やBLOS（Beyond Line-of-Site）などのSatComアプリケーションです。CGHV50200F GaN HEMTは、使いやすさを目的に、50Ωに整合されています。パワーアンプ動作の連続波（CW）、パルス、リニアモード用に設計されています。このデバイスは、セラミック/金属フランジタイプ440217パッケージで提供されます。