NDSH20120C-F155

onsemi
863-NDSH20120C-F155
NDSH20120C-F155

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,494.4 ¥1,494
¥1,025.6 ¥10,256
¥771.2 ¥77,120

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
26 A
1.2 kV
1.75 V
119 A
2.06 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH20120C-F155
Tube
ブランド: onsemi
Pd - 電力損失: 214 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 1.2 kV
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiCダイオード

onsemi D3 EliteSiCダイオード は、ハイパワーPFCと出力整流を必要とするアプリケーション向けのソリューションです。onsemi D3 の最大定格電圧は1,200Vです。これらのダイオードには、TO-247-2LDおよびTO-247-3LDの2つのパッケージオプションがあり、さまざまな設計での柔軟性を実現しています。D3 EliteSiCダイオードは、直列抵抗の温度依存性が低く高温での動作向けに最適化されており、極端な条件下でも一貫した信頼を発揮する高パフォーマンスが保証されます。

NDSH20120C-F155炭化ケイ素SCHOTTKYダイオード

onsemi のNDSH20120C-F155炭化ケイ素（SIC）SCHOTTKYダイオードは、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。 NDSH20120C-F155は、逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチング特性、優れた熱性能を備えています。システムの利点には、高い効率、高速動作周波数、増加した電力密度、低減された電磁干渉（EMI）、およびシステムのサイズとコストの削減が含まれます。 このEliteSiCダイオードは、正の温度係数と容易な並列接続を提供します。

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