ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

SQJ211ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ211ELP-T1_GE3
Price: 291 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SQJ211ELP-T1_GE3

メーカ番号：

SQJ211ELP-T1_GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

データシート:

SQJ211ELP-T1_GE3 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Vishay / Siliconix SQJ211ELP-T1_GE3の詳細を読む

在庫: 6,481

在庫：: 6,481 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥291.2	¥291
	¥206.4	¥2,064
	¥148.2	¥14,820
	¥118.1	¥59,050
	¥110.6	¥110,600
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥96	¥288,000
	¥92	¥552,000
24,000	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK SO-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	33.6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	32.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	45 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	68 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
下降時間:	12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	20 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4 ns
シリーズ:	SQJ
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	TrenchFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	37 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14 ns
単位重量:	2 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SQJ211ELP-T1_GE3 データシート

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJ車載用MOSFET

Vishay / Siliconix SQJ車載用MOSFETは、TrenchFET^®Gen IV Nチャンネル40V_DSパワーMOSFETです。これらのAEC-Q101規格に適合したこれらのMOSFETは、100%のRgおよびUIS(クランプされていない誘導性スイッチング)テストを実施し、スイッチング特性を最適化する1未満のQgd/Qgs比を実現しています。SQJ車載用MOSFETは、非常に低いRDS(on)を提供し、-55℃から175℃の温度範囲で動作します。これらの車載グレードMOSFETは、シングル/デュアル構成のPowerPAK^® SO-8Lパッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、エンジン管理、モータドライブとアクチュエータ、バッテリ管理があります。

SQJ211ELP車載用Pチャンネル100V MOSFET

Vishay / Siliconix SQJ211ELP車載用Pチャンネル100V MOSFETは、-100V_DSドレイン-ソース間電流が特徴で、PowerPAK^® SO-8Lパッケージ（ガルウィングリード付き）に収められています。このMOSFETは、10Vで最低30Ωまでのオン抵抗、および+175°Cの最高動作温度が特徴です。Vishay / Siliconix SQJ211ELP車載用Pチャンネル100V MOSFETは、AEC-Q101の認定を取得しており、RgおよびUIS試験を100%実施済みで、RoHSに準拠しておりハロゲンフリーです。