第4世代EシリーズMOSFET

Vishay Semiconductors第4世代EシリーズMOSFETは、低性能指数(FOM)のMOSFETで、Eシリーズ技術が用いられています。第4世代EシリーズMOSFETは、実効容量が低く、スイッチング損失と導通損失が低減されています。これらのMOSFETは、アバランシェエ・ネルギー定格(UIS)です。第4世代MOSFETは、TO-220AB、PowerPAK® SO-8L、PowerPAK® 8 x 8、DPAK(TO-252)、薄型リードTO-220 FULLPAKパッケージでご用意があります。一般的なアプリケーションには、サーバとテレコム電源、照明、インダストリアル、スイッチ・モード電源(SMPS)、力率補正(PFC)電源があります。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 40A N-CH MOSFET 930在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 74 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB 588在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 600V 5.6A N-CH MOSFET
3,000予想2026/04/09
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 600 V 5.6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 N CHAN 700V 34A
355取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 2 Channel 700 V 34 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 173 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tray
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET 在庫なし
最低: 1,000
複数: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET