DGD0579UFN-7

Diodes Incorporated
621-DGD0579UFN-7
DGD0579UFN-7

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ HV Gate Driver W-DFN3030-10 T&R 3K

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,911

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3,000
予想2026/02/20
工場リードタイム：
40
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥158.4 ¥158
¥114.1 ¥1,141
¥103 ¥2,575
¥90.7 ¥9,070
¥85 ¥21,250
¥81.4 ¥40,700
¥77.1 ¥77,100
完全リール（3000の倍数で注文）
¥76 ¥228,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Diodes Incorporated
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
SMD/SMT
WDFN-10
1 Driver
1 Output
2.5 A
6.5 V
18 V
19 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
DGD0579U
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Diodes Incorporated
論理タイプ: CMOS, TTL
水分感度: Yes
動作供給電流: 8 mA
Pd - 電力損失: 400 mW
製品タイプ: Gate Drivers
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
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選択した属性: 0

データシート

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

DGD0579U高圧側および低圧側ゲートドライバ

Diodes Inc. DGD0579U高圧側および低圧側ゲートドライバは、ハーフブリッジ構成でNチャンネルMOSFETを駆動できるブートストラップダイオードを内蔵した高周波ゲートドライバです。浮動高圧側ドライバは、ブートストラップ構成で最高100Vまでに定格されています。DGD0579Uのロジック入力は、スタンダードのTTLおよびCMOSレベル（最低で3.3Vまで）との互換性があり、MCUと簡単にインターフェイス接続できます。高圧側と低圧側のUVLOは、電源が遮断されるとMOSFETを保護します。また、クロス導通防止ロジックは、HOおよびLOが同時にオンになることを防止することでMOSFETも保護します。高速で良好に整合された伝播遅延によってさらなる高スイッチング周波数での動作が可能になるため、さらに小さな関連コンポーネントを使用したより小型でもっとコンパクトなパワースイッチングの設計が実現します。Diodes Inc. DGD0579Uは、スペースを最小限に抑えるためにブートストラップダイオードを内蔵しており、W-DFN3030-10パッケージで販売中で、-40°C～+125°C温度範囲で動作します。

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