1200V SiC MOSFET

Nexperia 1200V SIC MOSFETは、3ピンTO-247-3および4ピンTO-247-4に格納されており、スルーホールPCB実装を目的としています。 Nexperia MOSFETは、優れた温度安定性と速いスイッチング速度のおかげで、ハイパワーおよび高電圧の産業用アプリケーションに最適です。これらのアプリケーションには、電子車両充電インフラ、太陽光発電インバータ、モータドライブがあります。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Nexperia SiC MOSFET TO247 1.2KV 36A N-CH SIC 255在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET TO247 1.2KV 66A N-CH SIC 227在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L 15在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement