NTH4L014N120M3P

onsemi
863-NTH4L014N120M3P
NTH4L014N120M3P

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi NTH4L014N120M3Pの詳細を読む

在庫: 81

在庫：
81 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
20 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥4,611.2 ¥4,611
¥3,408 ¥34,080
¥3,368 ¥336,800

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
127 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.63 V
329 nC
- 55 C
+ 175 C
686 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 29 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 40 ns
シリーズ: NTH4L014N120M3P
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 68 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 26 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3P EliteSiC MOSFET

onsemi M3P EliteSiC MOSFET は、最大定格電圧1,200Vの高電圧アプリケーション向けソリューションです。onsemi M3P MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LDのパッケージで提供されます。/MOSFETはさまざまな設計要件に対応する汎用性を備えています。+ 22V/-10Vの最大ゲート－ソース電圧が備わっているEliteSiC MOSFETは、Coss、Ciss、Crssをはじめとする寄生容量の改善を促進します。

NTH4L014N120M3Pシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Onsemi NTH4L014N120M3Pシリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、パワーアプリケーション向けに最適化されています。onsemi MOSFETは、プレーナテクノロジーを採用しており、負のゲート電圧駆動で信頼性が高く、ゲート上のスパイクを抑制します。このファミリには、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能がありますが、15Vゲートドライブとの併用にも優れています。  

エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム（ESS）は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ（電気化学的）、圧縮空気（機械的）、溶融塩（熱エネルギー）など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。