STGWA100H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA100H65DFB2
STGWA100H65DFB2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
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在庫: 682

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,210.9 ¥1,211
¥696 ¥6,960
¥677.7 ¥67,770
¥602.9 ¥361,740
¥465.1 ¥558,120

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
145 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
ブランド: STMicroelectronics
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6.100 g
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2 IGBTは、高度な独自のトレンチ・ゲート・フィールドストップ構造の進化です。HB2シリーズは、小電流値でのプレミアムVCE(SAT)による伝導を最適化し、スイッチングエネルギーを削減します。STGWA100H65DFB2 HB2 IGBTは、100AのICで1.55V（標準）という低VCE(sat)が特徴です。

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