MDmesh DK5 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETは、非常に高電圧の高速リカバリダイオードで、950~1050V絶縁破壊電圧が備わっています。DK5には、最低45nCの非常に低いゲート電荷と、250ns(typ.)の逆回復時間(trr)があります。これによって、MDmesh DK5は、高電力アプリケーションのZVS LLC共振コンバータに最適です。これらのアプリケーションには、産業用溶接機、プラズマジェネレータ、高周波誘導融解/暖房、X線装置があります。また、MDmesh DK5 MOSFETシリーズは、0.12Ωの低オン抵抗(RDS(on))(VGS = 10V、ID = 23A)と優れた耐久性があり、ハードスイッチングトポロジにも最適です。DK5は、ロングリードTO-247およびISOTOPパッケージを始めとする幅広いスルーホールおよびSMDパワーパッケージでご用意があります。
詳細

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag 697在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l 600在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa 460在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube