LMG2652RFBR

Texas Instruments
595-LMG2652RFBR
LMG2652RFBR

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ

ライフサイクル:
新製品:
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ECADモデル:
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在庫: 1,368

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工場リードタイム:
12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥2,132.8 ¥2,133
¥1,734.4 ¥17,344
¥1,654.4 ¥41,360
¥1,435.2 ¥143,520
¥1,371.2 ¥342,800
¥1,251.2 ¥625,600
¥1,220.8 ¥1,220,800
完全リール(2000の倍数で注文)
¥1,036.8 ¥2,073,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
GaN FETs
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-19
1 Driver
1 Output
10 V
26 V
Non-Inverting
30 ns
23 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
開発キット: LMG2652EVM-101
入力電圧-最大: 26 V
入力電圧-最小: 10 V
最長電源切断遅延時間: 55 ns
最長電源投入遅延時間: 45 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 6.1 A
製品タイプ: Gate Drivers
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 140 mOhms
シャットダウン: No Shutdown
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
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選択した属性: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジ

Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジは、設計の簡素化、コンポーネント数の低減、基板面積の低減を実現しています。この簡素化は、ハーフブリッジパワーFET、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、ハイサイドゲートドライブレベルシフタを6mm x 8mmのQFNパッケージに統合することで行われます。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗器方式よりも電力損失を低減できます。ローサイドのサーマルパッドを冷却用PCB電源グランドに接続することができます。