SIHx5N80AEパワーMOSFET

Vishay / Siliconix SIHx5N80AEパワーMOSFETは、低性能指数、低実効容量が特徴で、スイッチング損失と導通損失が低減されています。Vishay / Siliconix SIHx5N80AEパワーMOSFETは、850Vのドレインソース電圧を実現しており、サーバおよびテレコム電源に最適です。さらに、SIHx5N80AE MOSFETには、超低ゲート電荷と集積ツェナーダイオードESD保護が活用されています。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET DPAK 800V 4.4A E SERIES 2,914在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 3A E SERIES 1,814在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 100 V 2,899在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape