AFGBG70T65SQDC

onsemi
863-AFGBG70T65SQDC
AFGBG70T65SQDC

メーカ：

詳細：
IGBT FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,288 ¥1,288
¥996.8 ¥9,968
¥844.8 ¥84,480
¥806.4 ¥403,200
完全リール（800の倍数で注文）
¥793.6 ¥634,880

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
SiC
D2PAK-7
SMD/SMT
Single
1.54 V
20 V
75 A
617 W
- 55 C
+ 175 C
AFGBG70T65SQDC
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値: 70 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 400 nA
製品タイプ: IGBTs
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

USHTS:
8541210095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGBG70T65SQDC Nチャネル、フィールド・ストップ第4世代IGBT

オンセミ (onsemi) AFGBG70T65SQDC NチャネルフィールドストップIV高速IGBTは、新しいフィールドストップ第4世代IGBTテクノロジーと第1.5世代 SiCショットキーダイオードテクノロジーを採用しています。このIGBTは、コレクタ・エミッタ間電圧が VCES= 650Vで、D2PAK7パッケージで提供されます。コレクタ・エミッタ飽和電圧（VCE（SAT））は 1.54V、コレクタ電流（IC）は70Aの定格です。onsemi AFGBG70T65SQDCは、低い伝導損失およびスイッチング損失の両方が必要不可欠な各種アプリケーションに最適な性能を提供し、高効率を実現します。

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