TD350E

STMicroelectronics
511-TD350E
TD350E

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ Advanced IGBT/MOSFET driver

ECADモデル:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥766.4 ¥766
¥584 ¥5,840
¥464 ¥11,600
¥446.4 ¥44,640
¥432 ¥108,000
¥419.2 ¥209,600
¥404.8 ¥404,800
¥403.2 ¥806,400

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メーカ 部品番号:
梱包:
Reel, Cut Tape, MouseReel
在庫状況:
在庫
価格:
¥336
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
SOIC-14
1 Driver
1 Output
2.3 A
0 V
16 V
Inverting
130 ns
75 ns
- 40 C
+ 125 C
TD350E
Tube
ブランド: STMicroelectronics
水分感度: Yes
動作供給電流: 5 mA
Pd - 電力損失: 500 mW (1/2 W)
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
単位重量: 338 mg
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選択した属性: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

モータドライバ

STMicroelectronicsモータ・ドライバは、ブラシ付DCモータ・ステッパ・モータおよびブラシレスDCモータの要件をカバーしている広範なモータ・ドライバです。ドライバは、広範な電圧および電流定格で販売されています。STSPINモータドライバには、モータを効率的に駆動するために必要なすべての機能が組み込まれています。これは、高精度で達成され、高度なモーション特性ジェネレータが含まれています。

TD350E Advanced IGBT/MOSFET Driver

STMicroelectronics TD350E Advanced IGBT/MOSFET Driver is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems. The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver. The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.

MOSFET & IGBTゲート・ドライバ

STMicroelectronics MOSFET & IGBTゲート・ドライバは、工業、民生、コンピュータ、自動車アプリケーションを対象としたディスクリート・デバイスのポートフォリオです。このポートフォリオは、シングルからハーフブリッジ、および複数のチャンネル・ドライバを網羅しています。このドライバは、低または高電圧(最高1500V)アプリケーションのどちらかに定格されています。また、STは、安全と機能要件のためのガルバニック絶縁ゲート・ドライバICも取り揃えています。システムインパッケージ(SiP)ソリューションには、ハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバとMOSFETベースの電力段が統合されています。これによってこれらは、さらなる高レベルの統合およびと低開発コストによる産業市場に最適です。

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