600V & 1200V TRENCHSTOP IGBT

Infineon 600V & 1200V TRENCHSTOP™ IGBTには、トレンチトップセルおよびフィールドストップ概念が組み合わされており、静的および動的性能の大幅な向上につながります。 IGBTとソフトリカバリエミッタ制御ダイオードとの組み合わせによって、電源オン損失をさらに最低限まで抑えています。 スイッチング損失と導通損失での妥協により、高い効率性が可能になります。
詳細

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
パッケージ/ケース
取り付け様式
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
最大ゲート エミッタ電圧
25 Cでのコレクターの直流
Pd - 電力損失
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
125在庫
480予想2026/08/27
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
5在庫
240予想2026/06/11
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
1,823取寄中
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
480予想2026/11/16
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube