NCD57001FDWR2G

Name: onsemi NCD57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCD57001FDWR2G
Price: 899 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NCD57001FDWR2G

メーカ番号：

NCD57001FDWR2G

メーカ：

onsemi

詳細：

ガルバニック絶縁型ゲートドライバ ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

データシート:

NCD57001FDWR2G データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

onsemi NCD57001FDWR2Gの詳細を読む

在庫: 1,738

在庫：: 1,738 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 21 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥899.2	¥899
	¥606.4	¥6,064
	¥560	¥14,000
	¥452.8	¥45,280
	¥435.2	¥108,800
	¥404.8	¥202,400
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥379.2	¥379,200
	¥364.8	¥729,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:
シリーズ:	NCD57001FDWR2G
取り付け様式:	SMD/SMT
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
上昇時間:	10 ns
下降時間:	15 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Inverting, Non-Inverting
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	6 A
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
製品タイプ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大:	5 V
供給電圧 - 最小:	3.3 V

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

NCD57001FDWR2G データシート

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

NCD57001FDWR2G絶縁型IGBTゲートドライバ

Onsemi NCD57001FDWR2G絶縁型大電流IGBTゲートドライバは、高いシステム効率性と信頼性のために設計された、内部ガルバニック絶縁のシングルチャンネルIGBTドライバです。このゲートドライバは、相補入力、オープンドレインのFAULTとReady出力、アクティブミラークランプ、正確な不足電圧ロックアウト(UVLO) 、DESAT保護、DESATでのソフトターンオフが特徴です。Onsemi NCD57001FDWR2Gゲートドライバは、入力側で5Vおよび3.3V信号に対応し、ドライバ側でが負の電圧機能を含む広いバイアス電圧範囲に対応します。このゲートドライバは、5kV_rms (UL1577定格) 以上のガルバニック絶縁と1200V_iorm (動作電圧) 以上の機能を提供します。代表的なアプリケーションには、ソーラーインバータ、モーター制御、無停電電源装置 (UPS) 、産業用電源、溶接があります。

ヒートポンプ

ヒートポンプは、安全で持続可能な暖房へのグローバルシフトを実現する礎として、低排出電気を利用して信頼性の高い暖かさを提供します。主な機能は暖房ですが、革新的な逆サイクルモデルには冷却機能も備わっています。さらに、廃熱を効率的に回収してその温度を実用レベルまで上昇させることもできるヒートポンプは、省エネという意味でも非常に大きな可能性を秘めています。企業が低炭素の未来を目指すなか、より効率的なパワー半導体に対する需要も高まりを見せています。このゴールに向けて、コスト、フットプリント、効率のバランスをとることは必須です。オンセミ (onsemi)インテリジェントパワーモジュール (IPM) は、ヒートポンプ市場において注目にすべきソリューションとして、コンパクトな設計、高電力密度、高度な制御機能を備えています。