IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kxシリコンカーバイド(SiC) MOSFETには、高阻止電圧があり、on状態抵抗[RDS (ON)]が低く抑えられています。オン状態抵抗は25mΩ ~ 160mΩで、連続ドレイン電流(ID)は20A ~ 111Aです。これらのデバイスには、低容量の高速スイッチングが備わっており、超高速真性ボディダイオードがあります。これらは、650Vまたは1200Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）定格でご用意があります。IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、3つのパッケージ（TO-263-7L、TOLL-8、TO-247-4L）で販売されています。

結果: 13
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
データシート
85在庫
450予想2026/05/19
最低： 1
複数： 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
データシート
14在庫
800予想2026/05/19
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
データシート
900在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263
データシート
894在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
データシート
900在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
データシート
900在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
データシート
2,090在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
データシート
2,095在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
データシート
2,100在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
データシート
550在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A
データシート
549在庫
最低： 1
複数： 1
: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
データシート
550在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
データシート
550在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement