60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

結果: 27
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

Si 60 V 11.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC AEC-Q101 Reel