NVBG030N120M3Sシリコンカーバイド(SiC) MOSFET
オンセミ (onsemi) NVBG030N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETは、1200V M3S平面Elite MOSFETで、高速スイッチングアプリケーション用に最適化されていますこのMOSFETは、107nCの極めて低いゲート電荷、低キャパシタンスながら106pFの高速スイッチング・スピード、29mΩ（標準値）のドレイン・ソース間ON抵抗 at VGS=18Vが特長です。NVBG030N120M3S SIC MOSFETには、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能が備わっていますが、15Vゲートドライブでも良好に作動します。また、アバランシェ試験100%完了、AEC-Q101およびPPAP対応のMOSFETです。NVBG030N120M3S MOSFETは、D2PAK-7Lパッケージを採用しており、低コモンソースインダクタンスを実現できます。さらに、無鉛2LI（2レベル間）およびRoHS（除外7a）準拠です。主なアプリケーションは、自動車用オンボードチャージャーおよびEV/HEV用DC/DCコンバータなどです。
