SIHH080N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHH080N60ET1-GE3
SIHH080N60E-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET PWRPK 600V 32A N-CH MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥939.2 ¥939
¥635.2 ¥6,352
¥457.6 ¥45,760
¥451.2 ¥225,600
完全リール（3000の倍数で注文）
¥368 ¥1,104,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK 8x8-4
N-Channel
1 Channel
600 V
32 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
184 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
下降時間: 31 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 4.6 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 96 ns
シリーズ: SIHH E
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 37 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 31 ns
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選択した属性: 0

データシート

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiHH080N60E EシリーズパワーMOSFET

Vishay / Siliconix SiHH080N60E EシリーズパワーMOSFETは、PowerPAK® 8 x 8パッケージに収められた第4世代Eシリーズ技術を実現しています。SiHH080N60E MOSFETには、低性能指数（FOM）Ron x Qgおよび低実効容量（Co(er)）が備わっています。Vishay / Siliconix SiHH080N60E EシリーズパワーMOSFETのスイッチング損失と導通損失の低減は、650Vドレイン-ソース間電圧63nC総ゲート電荷によって最適化されています。

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