650V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET

オンセミ (onsemi) 650V EliteSiCシリコンカーバイド (SiC) MOSFETは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する（新しい）技術を採用しています。さらに、オン抵抗の低減およびコンパクトなチップ・サイズにより、低容量とゲート電荷を保証します。その結果、最高の効率性、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。オンセミ (onsemi) TOLLパッケージは、ケルビンソース構成と寄生ソースインダクタンスの低減により、熱性能の向上と優れたスイッチング性能を提供します。TOLLは1 湿度感度レベル（MSL 1）を提供しています。