NTTFSxD1N0xHL NチャンネルPowerTrench® MOSFET

Onsemi NTTFSxD1N0xHLNチャンネルPowerTrench®MOSFETは、超低RDS (on) のために 高性能シールドゲートMOSFETテクノロジーを採用しています。これらのOnsemiシングルチャンネルMOSFETは、低いスイッチングノイズ/EMI、 100% UILテスト済みの堅牢なMSL1パッケージ設計を提供します。NTTFSxD1N0xHL MOSFET は、鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠のWDFN8パッケージで提供されます。代表的なアプリケーションには、DC/DC降圧コンバータ、ポイントオブロード、高効率の負荷スイッチとローサイドスイッチング、ORing FET、DC/DC電源、MV同期降圧コンバータがあります。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm 2,230在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 103 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32.7 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm 7,022在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 84 A, 5.9 mohm 5,910在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel