MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - ベース電圧 VCBO エミッタ - ベース電圧 VEBO コレクタ - エミッタ飽和電圧 Pd - 電力損失 利得帯域幅製品 fT 最低動作温度 最高動作温度 認証 パッケージ化
Panjit バイポーラトランジスタ - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified 26,735在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit バイポーラトランジスタ - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 29,441在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel