NZ8Pツェナー保護ダイオード

onsemi NZ8Pツェナー保護ダイオードは、静電気放電（ESD）や過渡電圧現象から高感度な電子部品を保護するように設計されています。NZ8Pダイオードは、低いクランプ電圧と高速な応答時間を特徴としており、高速データラインや低電圧アプリケーションに最適です。3.6V～48.5Vの耐圧範囲と最大逆漏れ電流1μA（標準）を備えたNZ8Pは、信号の完全性を損なうことなく、信頼性の高い過電圧保護を提供します。コンパクトなX2DFNW2表面実装パッケージに封入されており、スペースに制約のある設計や自動組立プロセスに対応しています。オンセミコンダクターのNZ8Pデバイスは、ESD保護に関するIEC 61000-4-2規格に準拠しており、堅牢かつ効率的な回路保護を必要とする携帯機器、通信機器、その他の民生用電子機器での使用に最適です。