eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FETには、100V~650Vの電圧範囲があり、優れたスイッチング性能が備わっています。これらのGaN FETは、低い QC とQOSS 値によって高速遷移能力を提供し、優れた電力効率を実現します。

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 1,976在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1,945在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 1,904在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 1,976在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,000在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 17A FET 2,060在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 17A FET 1,728在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8072 100V 60A FET 1,705在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8073 150V 28A FET 4,698在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 29A FET 286在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 11.5A FET 720在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 11.5A FET
2,483予想2026/03/09
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement