IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.

結果: 76
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 190
複数: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 190
複数: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 108
複数: 108

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 190
複数: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 250MHz at CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 250 MHz BGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R83200D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Reel
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 190
複数: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray