NTH4L炭化ケイ素 (SIC)MOSFET

Onsemi NTH4L炭化ケイ素 (SIC) MOSFETは、1,200V M3SプレーナSIC MOSFETのファミリです。このMOSFETの特徴は、超低ゲート充電と低スイッチング損失です。MOSFETの中には、低い静電容量定格で高速スイッチングを実現するモデルもあります。NTH4Lシリーズは100%アバランシェテスト済みで、RoHS準拠です。Onsemi NTH4L SIC MOSFETは、ソーラーインバータ、電気自動車 (EV) 充電ステーション、無停電電源装置 (UPS) 、エネルギー貯蔵システム、スイッチモード電源 (SMPS) など、さまざまな電源アプリケーションに最適です。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム

onsemi SiC MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM 246在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L 1,634在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC