80V NチャンネルU-MOS X-H MOSFET

Toshiba80V N チャネル U-MOS XHMOSFET は、高速スイッチング、小さなゲート電荷、および低電力消散実現します。U-MOS XHMOSFET は、優れたドレイン-ソース オン抵抗 (RDS(ON)) x送信抵抗x入力容量(Ciss)値を提供し、高い導電性と低いゲートドライバ損失を実現します。出力容量(COSS) が減少すると、出力電荷(QOSS) が低下し、これらのデバイスのスイッチング効率性が向上します。これらのMOSFETは、スイッチング電圧レギュレータ、モータードライバ、高効率DC/DCコンバータに最適です。

結果: 11
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm 894在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm 4,405在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm 5,912在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm 71在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm 7在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm 268在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm 488在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm 65在庫
10,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm 435在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm 15在庫
20,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
150予想2026/04/20
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube