AFGB30T65RQDN

onsemi
863-AFGB30T65RQDN
AFGB30T65RQDN

メーカ：

詳細：
IGBT 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

ライフサイクル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥686.4 ¥686
¥451.2 ¥4,512
¥337.6 ¥33,760
¥300.8 ¥150,400
完全リール（800の倍数で注文）
¥265.6 ¥212,480

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.58 V
20 V, 30 V
68 A
235.48 W
- 55 C
+ 175 C
AFGB30T65RQDN
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: IGBTs
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

PCN

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載アプリケーションで最適な性能を発揮します。 大電流機能、高速スイッチング、高入力インピーダンス、厳格なパラメータ分布が特徴です。AFGB30T65RQDN IGBTは短絡電流定格を満たしており、導通損失とスイッチング損失が低く抑えられており、高い性能性能指数が備わっています。 AEC-Q101の認定、鉛フリーで、RoHS準拠です。代表的なアプリケーションには、HEV/EV用電動コンプレッサとHEV/EV用PTCヒーターなどがあります。

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