SISD5300DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISD5300DN-T1-GE3
SISD5300DN-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 62A

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Vishay / Siliconix SISD5300DN-T1-GE3の詳細を読む

在庫: 4,418

在庫：
4,418 すぐに出荷可能
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥384 ¥384
¥246.4 ¥2,464
¥169.6 ¥16,960
¥134.7 ¥67,350
¥130.1 ¥130,100
完全リール（3000の倍数で注文）
¥107.7 ¥323,100

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-F-8
N-Channel
1 Channel
30 V
198 A
870 uOhms
- 12 V, 16 V
2 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 15 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 162 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 90 ns
シリーズ: SISD
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 26 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

POWERPAK®1212MOSFET

Vishay  POWERPAK® 1212 MOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適で、約1mΩ のダイオン抵抗が特徴で、最大85Aまで対応可能です。Vishay POWERPAK 1212には、高性能ダイの劣化のリスクを軽減するパッケージング技術を導入しています。このパッケージには、コンパクトな設計での超低熱インピーダンスが備わっており、スペースに制約のあるアプリケーションに最適です。

SiSD5300DN 30V NチャンネルMOSFET

Vishay / Siliconix  SiSD5300DN 30V NチャンネルMOSFETは、熱性能を向上させるソースフリップテクノロジーが活用されているTrenchFET® Gen VパワーMOSFETです。-55°C～+150°Cのジャンクション温度範囲内で動作するSiSD5300DNは、非常に低いドレイン-ソース間抵抗およびゲート充電性能指数（FOM）が特徴です。アプリケーションには、DC/DCコンバータ、同期整流、バッテリ管理、  Oリング、負荷スイッチがあります。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。