SICW028N120A4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW028N120A4-BP
Price: 3260 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

833-SICW028N120A4-BP

メーカ番号：

SICW028N120A4-BP

メーカ：

Micro Commercial Components (MCC)

詳細：

SiC MOSFET

データシート:

SICW028N120A4-BP データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Micro Commercial Components (MCC)
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	80 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	30 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	168 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Micro Commercial Components (MCC)
構成:	Single
下降時間:	11 ns
パッケージ化:	Bulk
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	13 ns
シリーズ:	SICW028N120A4
工場パックの数量:	1800
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	42.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14 ns

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データシート

SICW028N120A4-BP データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET is designed with a low on-resistance of just 28mΩ at a gate-source voltage of 18V. This N-channel MOSFET works well with the popular D2PAK 4-pin footprint and includes a Kelvin source pin to reduce switching losses and boost energy efficiency significantly. This SICW028N120A4 MOSFET features a high avalanche ruggedness and has the ability to operate at high junction temperatures of 175°C. This MOSFET ensures superior thermal performance and efficient heat management, eliminating the need for additional cooling components while increasing product reliability and lifespan. The SICW028N120A4 MOSFET is a robust and reliable solution for a host of industrial and commercial applications dealing in harsh environments.