CY7C1041GN30-10ZSXI

Infineon Technologies
727-CY7C1041GN30ZSXI
CY7C1041GN30-10ZSXI

メーカ:

詳細:
SRAM ASYNC

ECADモデル:
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在庫: 1,025

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予想2026/03/18
工場リードタイム:
20
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥896 ¥896
¥830.4 ¥8,304
¥780.8 ¥19,520
¥755.2 ¥37,760
¥726.4 ¥72,640
¥718.4 ¥179,600
¥668.8 ¥1,805,760

他のパッケージ

メーカ 部品番号:
梱包:
Reel, Cut Tape, MouseReel
在庫状況:
在庫
価格:
¥890
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
10 ns
Parallel
3.6 V
2.2 V
45 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSOP-44
Tray
ブランド: Infineon Technologies
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
メモリ タイプ: Volatile
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
工場パックの数量: 1350
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
タイプ: Asynchronous
単位重量: 453.250 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
854232029
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

CY7C1041GN30-10ZSXIスタティックRAM

Cypress Semiconductor CY7C1041GN30-10ZSXIスタティックRAMは、256Kワード×16ビットとして構成された4Mbit高性能CMOS高速スタティックRAMです。CY7C1041GN30-10ZSXIには、チップイネーブルおよびライトイネーブル入力をアサートすることで実行されるデータ書込があります。 CY7C1041GN30-10ZSXIには、38mAの低アクティブ電流および6mAのスタンバイ電流があり、1.65V~2.2V、2.2V~3.6V、4.5V~5.5Vのさまざまな動作電圧範囲が備わっています。スタティックRAMの動作温度は、-40°C~+85°Cです。