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CY7C1041GN30-10ZSXI

Name: Infineon CY7C1041GN30-10ZSXI
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-CY7C1041GN30ZSXI
Price: 1073 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

727-CY7C1041GN30ZSXI

メーカ番号：

CY7C1041GN30-10ZSXI

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SRAM ASYNC

データシート:

CY7C1041GN30-10ZSXI データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SRAM
RoHS:
メモリサイズ:	4 Mbit
編成:	256 k x 16
アクセス時間:	10 ns
インタフェースタイプ:	Parallel
供給電圧 - 最大:	3.6 V
供給電圧 - 最小:	2.2 V
供給電流 - 最大:	45 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSOP-44
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
メモリタイプ:	Volatile
水分感度:	Yes
製品タイプ:	SRAM
工場パックの数量:	1350
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
タイプ:	Asynchronous
単位重量:	453.250 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CY7C1041GN30-10ZSXI データシート (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854232029
CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.b

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

CY7C1041GN30-10ZSXIスタティックRAM

Cypress Semiconductor CY7C1041GN30-10ZSXIスタティックRAMは、256Kワード×16ビットとして構成された4Mbit高性能CMOS高速スタティックRAMです。CY7C1041GN30-10ZSXIには、チップイネーブルおよびライトイネーブル入力をアサートすることで実行されるデータ書込があります。 CY7C1041GN30-10ZSXIには、38mAの低アクティブ電流および6mAのスタンバイ電流があり、1.65V～2.2V、2.2V～3.6V、4.5V～5.5Vのさまざまな動作電圧範囲が備わっています。スタティックRAMの動作温度は、-40°C～+85°Cです。