NTMTS0D7N04CTXG

onsemi
863-NTMTS0D7N04CTXG
NTMTS0D7N04CTXG

メーカ：

詳細：
MOSFET AFSM T6 40V SG NCH

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥673.2 ¥673
¥441.7 ¥4,417
¥309.7 ¥30,970
¥257.5 ¥128,750
完全リール（3000の倍数で注文）
¥241.2 ¥723,600

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
40 V
420 A
670 uOhms
- 20 V, 20 V
4 V
140 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: PH
拡散国: JP
原産国: PH
下降時間: 20.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 200 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 18.1 ns
シリーズ: NTMTS0D7N04C
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 61 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 28.9 ns
単位重量: 319.280 mg
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。

NTMTS0D7N04C 40V NチャンネルパワーMOSFET

Onsemi NTMTS0D7N04C 40V NチャンネルパワーMOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれているonsemiの高度パワートレンチプロセスを使用して生産されています。このプロセスによって、代表的なソフトボディダイオードを用いた優れたスイッチング性能を維持しながら、オン状態抵抗が最小限に抑えられます。onsemi NTMTS0D7N04Cには、420A連続ドレイン電流(ID) および0.67mΩ (最大）の低ドレイン－ソース間on抵抗 ( R DS (on) が備わっています。

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