バイポーラトランジスタ

Toshibaバイポーラトランジスタは、プリバイアスが施されたトランジスタで、低ノイズ・低飽和電圧アプリケーション向けに設計されています。これらのバイポーラトランジスタは、AEC-Q101の認定を受けており、動作のためのPNP、NPN、NPN + NPN、PNP + PNP、NPN + PNP極性が備わっています。これらのトランジスタは、25MHz、30MHz、35MHz、55MHz、100MHz、120MHz、200MHz、300MHz遷移周波数でご用意があり、3ピン、5ピン、6ピン、8ピンのバリエーションがあります。

トランジスタのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性
Toshiba バイポーラトランジスタ - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min リードタイム 21 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN

Toshiba バイポーラトランジスタ - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A N/A
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 NPN, PNP
Toshiba バイポーラトランジスタ - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMT-6 NPN