1200V C4MS SiC ディスクリート MOSFET

Wolfspeed 1200V C4MS ディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、ハードスイッチアプリケーションで比類のない性能を発揮します。C4MSファミリは、オーバーシュートやリンギングを最小限に抑えながら高速スイッチングを可能にする、高速でソフトなボディダイオードを採用しています。これにより、エンジニアがアプリケーションで性能を調整・最適化するための設計の自由度が広がります。C4MS ファミリは、C3M デバイスファミリと比較して Eon、ERR、Eoff の損失が改善されており、低い R DS(on)の温度係数も維持しています。このバランスの取れたアプローチにより、ハードスイッチング方式とソフトスイッチング方式の両方の幅広いトポロジにおいて、最高の性能と効率を実現します。

結果: 16
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 在庫なし
最低: 450
複数: 450
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 在庫なし
最低: 450
複数: 450
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 在庫なし
最低: 800
複数: 800
リール: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement